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【今日要闻】半导体前沿：芯片工艺、材料与新兴技术洞察
2025-10-25 12:02:21
芯片的减薄与切割
芯片的减薄与切割以下文章来源于学习那些事 ，作者小陈婆婆 文章来源：学习那些事 原文作者：小陈婆婆 本文简单介绍了硅片的减薄与切割。芯片的减薄与🔴体育切割在现代半导体制造中，随着硅片尺寸的不断增大，从6英寸扩大到18英寸。硅片的尺寸受其厚度的制约，故而其尺寸增大，为保证机械强度厚度也需要相应的增加，与此同时这也给后续的芯片加工带去了挑战，其中最显著的就是芯片切割及封装。本文主要介绍硅片的减薄与切割，分述如下： 芯片减薄 芯片切割 1 芯片减薄 例如对TSOP封装来说，其电路层有效厚。
HBM行业地图，球形硅微粉产业链跟踪：雅克科技、联瑞新材、壹石通
单台服务器一般搭配8个GPU，在HBM1方案中，单个GPU搭载4个HBM1，而在目前HBM2e或HBM3方案中，一般单个GPU搭配6个HBM Stack。HBM3及以上版本将支持12-16层的DRAM堆叠，相比HBM2的4-8层有大🌵幅提升。每增加一层DRAM，对应的球形硅微粉用量也会相应增加。图：HBM升级趋势 来源：海力士 硅微粉分为不同的类型：1）按用途与SiO2纯度：普通级（>99%）、电工级（>99.6%）、电子级（>99.7%）与半导体级（>99.9%）硅微粉；2）。
M9覆铜板增量材料：球形硅微粉供应商梳理
M9覆铜板增量材料：球形硅微粉供应商梳理一. 驱动逻辑 英伟达新一代Rubin架构预计于2025年量产，其中，PCB方案重回OAM+UBB：OAM升级成为7阶M9材料HDI板，UBB升级为26层M9材料通孔板。M9级别覆铜板（CCL）材料增量： （1）电子玻纤布：升级为石英布（即(jí)Q布(bù)，为(wèi)第(dì)三(sān)代(dài)LOW DK布(bù)）。（2）铜(tóng)箔(bó)：升(shēng)级(jí)为(wèi)HVLP4铜(tóng)箔(bó)。（3）树(shù)脂(zhī)：升(shēng)级(jí)为(wèi)碳(tàn)氢(qīng)（PCH）/苊(è)烯(xī)（EX）树(shù)脂(zhī)。（4）填(tián)料(liào)：球(qiú)形(xíng)硅(guī)微(wēi)粉(fěn)用(yòng)量(liàng)🥝体育翻(fān)倍(bèi)（M8/M9填(tián)料(liào)体(tǐ)积(jī)是(shì)M6/M7的(de)2倍(bèi)）。
《储(chǔ)能(néng)科(kē)学(xué)与(yǔ)技(jì)术(shù)》文章(zhāng)|黄(huáng)学(xué)杰(jié)研(yán)究(jiū)员(yuán)团(tuán)队(duì)：锂(lǐ)电(diàn)池(chí)百(bǎi)篇(piān)论(lùn)文点(diǎn)评(píng)（2025.6.1—2025.7.31）
TPU凭(píng)强(qiáng)离(lí)子(zi)-偶(ǒu)极(jí)作(zuò)用(yòng)在(zài)电(diàn)极(jí)-电(diàn)解(jiě)质(zhì)界(jiè)面(miàn)形(xíng)成(chéng)稳(wěn)固(gù)黏(nián)结(jié)，有(yǒu)效(xiào)抑(yì)制(zhì)硅(guī)-石(shí)墨(mò)负(fù)极(jí)体(tǐ)积(jī)膨(péng)胀(zhàng)导(dǎo)致(zhì)的(de)结(jié)构(gòu)退(tuì)化(huà)。该(gāi)组(zǔ)合(hé)在(zài)室(shì)温(wēn)2 MPa低(dī)压(yā)下(xià)，组(zǔ)装(zhuāng)Si-Gr ||NCM811软(ruǎn)包(bāo)电(diàn)池(chí)，100次(cì)循(xún)环(huán)容(róng)量(liàng)保(bǎo)持(chí)80%，远(yuǎn)优(yōu)于(yú)传(chuán)统(tǒng)黏(nián)结(jié)剂(jì)(29%)。Hu等(děng)人(rén)针(zhēn)对(duì)全固(gù)态(tài)锂(lǐ)离(lí)子(zi)电(diàn)池(chí)(ASSLIBs)中(zhōng)硅(guī)负(fù)极(jí)在(zài)循(xún)环(huán)过(guò)程(chéng)中(zhōng)因(yīn)巨(jù)大(dà)体(tǐ)积(jī)膨(péng)胀(zhàng)(约(yuē)300%)引(yǐn)发(fā)的(de)内(nèi)部(bù)应(yīng)力(lì)问(wèn)题(tí)，提(tí)出(chū)并(bìng)验(yàn)证(zhèng)了(le)一(yī)种(zhǒng)“动(dòng)态(tài)体(tǐ)积(jī)补(bǔ)偿(cháng)”策(cè)略(è)。传(chuán)统(tǒng)研(yán)究(jiū)多(duō)聚(jù)焦(jiāo)于(yú)单(dān)一(yī)材(cái)料(liào)的(de)应(yīng)力(lì)分(fēn)析(xī)，忽视正负极之间的协同效应与应力平衡关系。利用硅(Si)🎨与硫(S)。
中微公司 开开脑洞技术就绪、但公司尚未官宣“百亿级”的新战场（脑洞区）6. Micro-LED 巨量转移背板玻璃/GaN - 雪球
8. 硅光（SiPh）/共封装光学（CPO）硅光芯片需在 SOI 上刻 60:1 深槽做光栅、ALD 沉积 Ge/SiN 波导，单条 50k 片/月硅光产线刻蚀+ALD 段 ≈ 20 亿元；2025 年 CPO 预计渗透率 30%，对应 ≥ 500k 片/月产能，设备空间 ≥ 200 亿元，中微 90:1 深硅刻蚀+氮化硅 PECVD 可直接切入。9. Chiplet 中介层（Interposer）“2.5D/3D 堆叠”中介层 TSV+背面 RDL 需多次深硅刻蚀+铜电镀种。
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